产品简介："### 型号应用简介

AP10NA014MT-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
紧凑型封装，适合高密度 PCB 布局，提升系统集成度。

- **沟道类型**：Single-N
N 沟道 MOSFET，适用于低侧开关和电源开关应用。

- **VDS（漏源电压）**：100V
高耐压设计，适用于中高压电源系统和电机驱动。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽栅极电压范围，提供更高的设计灵活性。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V
低阈值电压，适合低电压驱动电路。

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时，RDS(on)=26mΩ
- VGS=10V 时，RDS(on)=21mΩ
低导通电阻减少功率损耗，提升系统效率。

- **ID（漏极电流）**：30A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域与模块示例

1. **电源管理模块**
AP10NA014MT-VB 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块。其低导通电阻和高开关频率可显著提高电源效率，适用于服务器电源、通信设备和工业电源系统。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于驱动 BLDC（无刷直流电机）和步进电机。其高耐压和大电流特性使其能够处理电机启动和运行中的高功率需求，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。