产品简介："### 型号应用简介

**AP10TN028MT-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装形式具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 布局。

- **沟道类型**：Single N-Channel
单 N 沟道设计，适用于需要单向电流控制的电路。

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ

- **ID（漏极电流）**：30A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）


### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
AP10TN028MT-VB 适用于开关电源、DC-DC 转换器和同步整流电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源设计中表现出色，尤其是在需要高功率密度的场合，如服务器电源、通信设备电源等。

2. **电机驱动模块**
该 MOSFET 可用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动。其快速开关特性和高电流承载能力使其在电机控制中能够提供高效、稳定的性能，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。

3. **LED 驱动模块**
在 LED 驱动电路中，AP10TN028MT-VB 可用于恒流源和 PWM 调光控制。其低导通电阻和高效率特性有助于减少热量产生，延长 LED 寿命，适用于高亮度 LED 照明和显示背光应用。