产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：IAUC26N10S5L245-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**VDS（漏源电压）：100V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.8V**
**VGS=4.5V时的导通电阻：26(mΩ)**
**VGS=10V时的导通电阻：21(mΩ)**
**ID（漏极电流）：30A**
**技术：SGT（Super Junction Trench Gate）**


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
IAUC26N10S5L245-VB适用于各种电源管理模块，如DC-DC转换器、AC-DC转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高开关速度使得它在高效率电源设计中表现出色，尤其是在需要高功率密度的应用中，如服务器电源、通信电源和工业电源。

2. **电机驱动模块**
该MOSFET适用于电机驱动模块，特别是在需要高电流和高电压的场合，如电动工具、家用电器和工业电机控制。其低导通电阻和高电流能力使得电机驱动更加高效，减少了能量损耗，提高了系统的整体性能。

3. **LED驱动模块**
IAUC26N10S5L245-VB也适用于LED驱动模块，特别是在需要高亮度和高效率的LED照明系统中。其低导通电阻和高开关速度使得LED驱动更加稳定，减少了热损耗，延长了LED的使用寿命。