产品简介："### 型号应用简介

**ISC230N10NM6-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **DFN5X6** 封装。
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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度电路设计。

- **沟道类型**：Single-N
单N沟道设计，适用于需要高效开关和低导通损耗的应用。

- **VDS（漏源电压）**：100V
能够承受较高的电压，适合中高功率应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
提供宽范围的栅极驱动电压，兼容多种控制电路。

- **Vth（阈值电压）**：1.8V
低阈值电压使其适合低电压驱动的场景，如便携式设备和电池供电系统。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
低导通电阻有效降低功耗，提升系统效率。

- **ID（持续漏极电流）**：30A
高电流承载能力，适合大功率应用。

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）
SGT 技术优化了开关性能和导通电阻，适用于高频开关应用。

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应用领域及模块

1. **开关电源（SMPS）**
ISC230N10NM6-VB 的低导通电阻和高开关频率特性使其非常适合用于开关电源模块，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和 LED 驱动电源。其高效能表现有助于降低系统功耗并提升整体效率。

2. **电机驱动**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻能够有效降低电机驱动器的功耗和发热，适用于电动工具、家用电器和工业电机控制系统。