产品简介："### 型号应用简介

**IRFH5210-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种高功率和高效率的应用场景，尤其是在需要高电流和低损耗的场合。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，便于在紧凑的电路设计中集成。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：IRFH5210-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流能力使得它在高功率密度的电源设计中表现出色。
- **模块示例**：在服务器电源、通信基站电源和工业电源模块中，IRFH5210-VB 可以作为主开关管或同步整流管，显著降低功耗并提高整体效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：该 MOSFET 适用于电机驱动电路，尤其是在需要高电流和快速开关的场合，如电动工具、无人机电机驱动和工业自动化设备中的电机控制。
- **模块示例**：在电动工具的电机驱动模块中，IRFH5210-VB 可以作为 H 桥电路中的开关管，提供高效的功率转换和精确的电机控制。