产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H015SPSWQ-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换和电机驱动应用。其紧凑的 DFN5X6 封装设计使其在空间受限的应用中表现出色，同时提供了优异的散热性能。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源转换模块**：
- **应用场景**：DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、服务器电源
- **说明**：DMTH10H015SPSWQ-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源转换模块中表现出色，能够有效降低功率损耗，提高整体效率。其 100V 的 VDS 和 30A 的 ID 使其适用于中高功率的电源转换应用。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、家用电器
- **说明**：在电机驱动模块中，该 MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使其能够高效驱动电机，减少发热，延长设备寿命。其紧凑的封装设计也适合空间受限的电机驱动应用。