产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H015LPS-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，适用于高密度 PCB 设计。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻仅为 26mΩ，而在 VGS=10V 时进一步降低至 21mΩ，使其在高效率电源转换和功率管理应用中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源转换模块**：
- **应用**：DMT10H015LPS-VB 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和开关电源（SMPS）等电源转换模块。
- **优势**：其低导通电阻和高电流承载能力确保了高效率的电源转换，减少了能量损耗，特别适合高功率密度设计。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 可用于无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动电路。
- **优势**：高 VDS 和低 RDS(on) 使其能够有效控制电机电流，提高驱动效率，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。