产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H015LPS-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，适合空间受限的设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源转换模块**：
- **应用**：DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、开关电源（SMPS）
- **说明**：DMTH10H015LPS-VB 的低导通电阻和高开关速度使其非常适合用于高效率的电源转换模块。在 DC-DC 转换器中，它可以有效降低功率损耗，提升整体效率。在 AC-DC 电源适配器中，其高耐压特性确保了稳定性和可靠性。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：无刷直流电机（BLDC）驱动器、步进电机驱动器
- **说明**：在电机驱动应用中，DMTH10H015LPS-VB 的高电流能力和低导通电阻使其能够高效地驱动电机，减少发热和能量损耗。特别是在无刷直流电机驱动器中，其快速开关特性有助于实现精确的电机控制。