产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H025LPS-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6

- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ

- **ID（漏极电流）**：30A
能够处理高达 30A 的电流，适合高功率应用。

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）
SGT 技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度，同时增强了器件的可靠性。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
DMTH10H025LPS-VB 适用于开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效电源转换中表现出色，尤其是在需要高功率密度的设计中。

2. **电机驱动模块**
该器件可用于电机驱动电路，如电动工具、家用电器和工业电机控制。其高电压和高电流能力使其能够有效驱动各种类型的电机，同时 SGT 技术确保了快速的开关速度和低损耗。

3. **LED 驱动模块**
在 LED 照明系统中，DMTH10H025LPS-VB 可用于 LED 驱动电路，提供稳定的电流输出和高效的功率转换。其低导通电阻有助于减少热量产生，延长 LED 寿命。