产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H025LPSQ-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道场效应晶体管（MOSFET）**，采用 **DFN5X6** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：N沟道（Single N-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **典型阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）
- **说明**：DMTH10H025LPSQ-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效电源管理模块。例如，在 **DC-DC转换器** 中，该器件可以有效降低功率损耗，提升整体效率。在 **AC-DC电源适配器** 中，其高电压和电流能力可以确保稳定的电源输出。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）、工业电机驱动
- **说明**：该 MOSFET 的高电流能力和快速开关特性使其非常适合用于电机驱动模块。例如，在 **电动工具** 中，它可以提供高效的功率输出，延长电池寿命。在 **工业电机驱动** 中，其高电压和低导通电阻可以确保电机的高效运行和低热损耗。