产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H025LPSWQ-VB** 是由 **VBsemi** 品牌推出的一款高性能 **N沟道场效应晶体管（MOSFET）**，采用 **DFN5X6** 封装。该器件具有 **100V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），适用于高电压、高电流的应用场景。其 **1.8V** 的典型阈值电压（Vthtyp）和低导通电阻（RDS(on)）使其在高效能电源管理和功率转换领域表现出色。此外，该器件采用 **SGT（Shielded Gate Trench）** 技术，进一步提升了开关速度和热性能。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **典型阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池管理系统（BMS）。
- **优势**：低导通电阻和高电流能力使其在电源转换效率上表现优异，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、家用电器（如吸尘器、搅拌机）。
- **优势**：高电压和低导通电阻特性使其能够有效驱动高功率电机，同时减少能量损耗，提升整体系统效率。