产品简介："### 型号应用简介

**DMNH10H021SPSW-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、开关电源
- **优势**：低导通电阻和高电流承载能力使得该 MOSFET 在电源管理模块中能够有效降低功耗，提高转换效率。适用于高效率、高功率密度的电源设计。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器、工业电机驱动
- **优势**：高 VDS 和低 RDS(on) 使得该 MOSFET 在电机驱动模块中能够承受高电压和大电流，适用于需要高可靠性和高效率的电机驱动应用。

3. **电池保护模块**：
- **应用场景**：锂电池保护板、电动自行车、电动滑板车
- **优势**：低阈值电压和低导通电阻使得该 MOSFET 在电池保护模块中能够有效控制电池充放电，延长电池寿命，适用于需要高精度控制的电池管理系统。