产品简介："### 型号应用简介

**DMNH10H028SPSQ-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高功率和高效率的应用场景，特别是在需要高电压和高电流的模块中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC 转换器、AC-DC 转换器
- **说明**：DMNH10H028SPSQ-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块中的开关器件。在 DC-DC 转换器中，它可以有效降低功率损耗，提高转换效率。在 AC-DC 转换器中，其高电压承受能力确保了系统的稳定性和可靠性。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：在电机驱动模块中，DMNH10H028SPSQ-VB 可以作为电机控制开关，提供高效的电流控制和快速的开关响应。其高电流承载能力使其能够驱动大功率电机，适用于电动工具和工业电机等高负载应用。