2026新品
氮化镓（GaN）外延片
产品简介：蓝宝石基GaN外延片采用高品质蓝宝石衬底与优化MOCVD外延工艺，实现低位错密度与优异晶体完整性。相比传统硅基方案，蓝宝石基GaN具备更高的材料耐压能力、更低漏电流以及更优的高温稳定性，可有效提升功率器件的一致性与可靠性。其优异的结晶质量和缺陷控制能力，为高性能GaN HEMT器件在快充、电源及高频应用中提供坚实基础。
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氮化镓（GaN）外延片
产品简介：蓝宝石基GaN外延片采用高品质蓝宝石衬底与优化MOCVD外延工艺，实现低位错密度与优异晶体完整性。相比传统硅基方案，蓝宝石基GaN具备更高的材料耐压能力、更低漏电流以及更优的高温稳定性，可有效提升功率器件的一致性与可靠性。其优异的结晶质量和缺陷控制能力，为高性能GaN HEMT器件在快充、电源及高频应用中提供坚实基础。