常规产品
氮化镓芯片
产品简介：蓝宝石基GaN芯片基于高结晶质量GaN外延材料开发，具备低缺陷密度、高击穿电压及优异的高频特性。相比传统硅基功率器件，其在高温、高压及高速开关条件下表现出更低损耗与更高可靠性，可显著提升系统功率密度与转换效率。依托蓝宝石衬底优异的绝缘特性与材料稳定性，芯片在快充、电源适配器、数据中心及工业电源等领域展现出良好的应用潜力。
常规产品
氮化镓芯片
产品简介：蓝宝石基GaN芯片基于高结晶质量GaN外延材料开发，具备低缺陷密度、高击穿电压及优异的高频特性。相比传统硅基功率器件，其在高温、高压及高速开关条件下表现出更低损耗与更高可靠性，可显著提升系统功率密度与转换效率。依托蓝宝石衬底优异的绝缘特性与材料稳定性，芯片在快充、电源适配器、数据中心及工业电源等领域展现出良好的应用潜力。