2026新品
tolt封装的氮化镓器件
产品简介：TOLT封装GaN芯片采用低寄生参数封装设计，充分释放GaN器件高频、高速开关优势。通过优化功率回路与热路径结构，可有效降低开关损耗、抑制寄生震荡并提升EMI性能，在高功率密度应用中实现更高效率与更优散热表现。结合高可靠性GaN芯片平台，TOLT封装方案适用于快充电源、服务器电源、工业电源及高性能DC-DC转换等领域
2026新品
tolt封装的氮化镓器件
产品简介：TOLT封装GaN芯片采用低寄生参数封装设计，充分释放GaN器件高频、高速开关优势。通过优化功率回路与热路径结构，可有效降低开关损耗、抑制寄生震荡并提升EMI性能，在高功率密度应用中实现更高效率与更优散热表现。结合高可靠性GaN芯片平台，TOLT封装方案适用于快充电源、服务器电源、工业电源及高性能DC-DC转换等领域