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SiC 肖特基二极管
产品简介：SiC 肖特基二极管（SiC SBD，Silicon Carbide Schottky Barrier Diode）是第三代宽禁带功率半导体器件，依托 SiC 材料的本征优势，在高频、高温、高压场景中表现远超传统硅基 PN 结二极管，是高效功率变换电路的核心续流 / 整流 器件。慧 芯电子 推出 SiC SBD 系列 产品击穿 电压 VBR：650V~1700V，最大 ICM：50A，产品具有更快的反向恢复速度、低损耗、低正向压降、低漏电流，高温特性优异，高可靠性设计等特点。
