产品简介："### 产品简介

**BSS123-VB** 是一款高压单通道 N 型 MOSFET，封装形式为 SOT23-3。该器件设计用于高电压和低电流应用，最大漏极电流为 0.26A，漏极-源极耐压为 100V。具有较高的 RDS(ON)（2800mΩ @ VGS=10V），适合中等功率和低电流的开关应用。其阈值电压为 1.5V，栅极-源极耐压为 ±20V，采用沟道工艺（Trench），提供稳定的开关性能。

### 详细参数说明

- **型号**: BSS123-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.5V
- **RDS(ON)**: 3000mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.26A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)

### 应用领域和模块

**BSS123-VB** 在以下领域和模块中具有广泛应用：

1. **小型电源开关**：用于低功率电源开关和电源管理系统，适合用于各种小型电子设备和低功耗电路。
2. **高压开关**：在高电压应用中提供开关控制，如小型电源适配器和高压负载切换。
3. **信号切换**：用于信号路径切换和开关电路，适合音频、视频和数字信号处理。
4. **LED 驱动**：在小功率 LED 驱动电路中使用，提供高效的开关控制，适合低电流照明应用。
5. **小型电子设备**：应用于便携式电子产品和低功耗设备的开关和控制功能，支持稳定的操作和高效的电源管理。"