产品简介："### 产品简介
BSS84W-7-F-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET，封装为 SC70-3，设计用于中低电流应用。它具有 -60V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 -1.7V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 5000mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下为 4000mΩ。最大漏极电流为 -0.135A，采用 Trench 技术，适用于低功耗和小型电子设备中的开关控制。

### 参数说明
- **型号**: BSS84W-7-F-VB
- **封装**: SC70-3
- **配置**: 单通道 P 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: -60V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5000mΩ @ VGS = 4.5V
- 4000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -0.135A
- **技术**: Trench 技术

### 应用领域
BSS84W-7-F-VB 适用于以下领域和模块：
- **低功耗开关**: 用于低功耗电子设备中的开关应用，如便携式电子产品和消费电子。
- **信号开关**: 在信号开关电路中，处理低电流信号的开关控制。
- **小型家电**: 在小型家电设备中作为开关元件，支持高效的开关操作。
- **便携设备**: 适用于智能手表、传感器和其他低功耗便携设备中的开关控制。"